NVTP2955G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

156 mOhms

Qg - Carga de puerta:

14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

62.5 W

Configuración:

Único

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

6 S

Otoño:

85 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

47 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

NVT