NTLJF3117PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTLJF3117P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

FET - MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

3.1 S

Otoño:

13.2 ns, 15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13.2 ns, 15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.7 ns, 19.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.2 ns, 5.5 ns

Tags

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