TK72E12N1,S1X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

120 V

Id - Corriente de drenaje continua:

179 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

130 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

255 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

15.1 mm

Longitud:

10.16 mm

Serie:

TK72E12N1

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.45 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

120 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

64 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

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