FJN3309RBU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - Pre-polarizados

RoHS:

Y

Configuración:

Único

Polaridad del transistor:

NPN

Resistencia de entrada típica:

4.7 kOhms

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

100

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Corriente continua del colector:

0.1 A

Corriente máxima del colector de CC:

100 mA

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

A granel

Ganancia de corriente CC hFE Max:

600

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Escribe:

Transistor de silicio epitaxial NPN

Ancho:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipo de producto:

BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.006286 oz

Tags

FJN330, FJN33, FJN3, FJN