RM3316-XSNI-T

RM3316-XSNI-T
Mfr. #:
RM3316-XSNI-T
Fabricante:
Adesto Technologies
Descripción:
DRAM 256Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RM3316-XSNI-T Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
RM3316-XSNI-T más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Tecnologías Adesto
Categoria de producto:
DRACMA
RoHS:
Y
Escribe:
CBRAM
Ancho del bus de datos:
32 bit
Organización:
8 k x 32
Paquete / Caja:
SOIC-8
Tamaño de la memoria:
256 kbit
Frecuencia máxima de reloj:
1 MHz
Voltaje de suministro - Máx:
1.98 V
Voltaje de suministro - Min:
1.17 V
Corriente de suministro - Máx .:
10 uA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Serie:
RM331x
Embalaje:
Carrete
Marca:
Tecnologías Adesto
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Tipo de producto:
DRACMA
Cantidad de paquete de fábrica:
4000
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Nombre comercial:
Moneta
Tags
RM3316, RM331, RM33, RM3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Moneta RM331 Ultra-low Power Serial Memory
Adesto Technologies Moneta™ RM331 32-256Kbit EEPROM-compatible Serial Memory devices provide an ultra-low power/low-energy solution for the non-volatile memory needs of battery-operated and energy harvesting applications. Featuring Adesto's Conductive Bridging RAM (CBRAM®) resistive technology, the Moneta RM331 Memory devices operate with ultra-low power consumption without sacrificing speed or performance.
Imagen Parte # Descripción
RM3316-XSNI-T

Mfr.#: RM3316-XSNI-T

OMO.#: OMO-RM3316-XSNI-T

DRAM 256Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
RM3316-XSNI-B

Mfr.#: RM3316-XSNI-B

OMO.#: OMO-RM3316-XSNI-B

DRAM 256Kb 1.2V 1MHz SPI Moneta CBRAM IT
RM3316-101M-RC

Mfr.#: RM3316-101M-RC

OMO.#: OMO-RM3316-101M-RC-1190

Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3500
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