OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

CGH60120D-GP4

CGH60120D-GP4
Mfr. #:
CGH60120D-GP4
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGH60120D-GP4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGH60120D-GP4 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tecnología:
GaN SiC
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
100 V
Pd - Disipación de energía:
45 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Único
Altura:
4.064 mm
Longitud:
9.652 mm
Ancho:
5.842 mm
Marca:
Qorvo
Voltaje de corte de puerta-fuente:
- 2.9 V
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1092444
Tags
CGH60, CGH6, CGH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***fspeed SCT
Aerospace & Defense, 28 V, 6 GHz, 120W, Die, RoHS
***fspeed
120-W; 6.0-GHz; GaN HEMT Die
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V DIE
***ical
Trans FET 84V 12A GaN HEMT
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGH60120D-GP4
DISTI # CGH60120D-GP4-ND		WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray		30In Stock
  • 10:$136.2210
CGH60120D-GP4
DISTI # 941-CGH60120D		Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
RoHS: Compliant		30
  • 10:$152.8400
CGH60120D-GP4
DISTI # CGH60120D-GP4		WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 50:$142.4100
Imagen Parte # Descripción
CGH60120D-GP4

Mfr.#: CGH60120D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60120D-GP4

 RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
CGH60120D-GP4

Mfr.#: CGH60120D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60120D-GP4-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 28V DIE
CGH60120D

Mfr.#: CGH60120D

OMO.#: OMO-CGH60120D-318

 RF JFET Transistors DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB
Disponibilidad
Valores:
30
En orden:
2013
Ingrese la cantidad:
El precio actual de CGH60120D-GP4 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
10
152,84 US$
1 528,40 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Empezar con
Top