ZVN3310A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

625 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.01 mm

Longitud:

4.77 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ZVN3310

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET

Ancho:

2.41 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Unidad de peso:

0.016000 oz

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