ZXMN10A11KTC

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

8.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

ZXMN10A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

4 S

Otoño:

3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.7 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

ZXMN10A1, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM