IXTH6N100D2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.2 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

95 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.46 mm

Longitud:

16.26 mm

Serie:

IXTH6N100

Escribe:

Modo de agotamiento MOSFET

Ancho:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S

Otoño:

47 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT