NTTFS4H07NTAG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

66 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12.4 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

33.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

49 S

Otoño:

1.65 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Unidad de peso:

0.000600 oz

Tags

NTTFS4H07, NTTFS4H, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT