TGF2953

TGF2953
Mfr. #:
TGF2953
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2953 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2953 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
18.2 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Id - Corriente de drenaje continua:
820 mA
Potencia de salida:
41.6 dBm
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
100 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
17 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
Die
Embalaje:
Paquete de gel
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
15 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 65 C to + 150 C
Marca:
Qorvo
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1112257
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 12 W, 18.2 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2953
DISTI # 772-TGF2953
QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
RoHS: Compliant
50
  • 50:$43.9000
  • 100:$37.9700
1112257
DISTI # TGF2953
QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1:$25.3000
Imagen Parte # Descripción
HMC424ALP3E

Mfr.#: HMC424ALP3E

OMO.#: OMO-HMC424ALP3E

Attenuators 5 dB LSB 6-Bit dig atten SMT
PIC16F886-I/SP

Mfr.#: PIC16F886-I/SP

OMO.#: OMO-PIC16F886-I-SP

8-bit Microcontrollers - MCU 14KB Flash 368 RAM 25 I/O
02015J1R0PBSTR

Mfr.#: 02015J1R0PBSTR

OMO.#: OMO-02015J1R0PBSTR

Silicon RF Capacitors / Thin Film 50V 1pF .02pFTol ThinFilm 0201
HMC424ALP3E

Mfr.#: HMC424ALP3E

OMO.#: OMO-HMC424ALP3E-ANALOG-DEVICES

Active Attenuator Attenuators 5 dB LSB 6-Bit dig atten SMT
XFL4020-222MEB

Mfr.#: XFL4020-222MEB

OMO.#: OMO-XFL4020-222MEB-1190

Fixed Inductors 2.2uH 20% 8A 23.5mOhms AEC-Q200
ABM10W-30.0000MHZ-4-B1U-T3

Mfr.#: ABM10W-30.0000MHZ-4-B1U-T3

OMO.#: OMO-ABM10W-30-0000MHZ-4-B1U-T3-ABRACON

Crystal 30MHz ±10ppm (Tol) ±10ppm (Stability) 4pF FUND 70Ohm 4-Pin SMD T/R
1132-6025

Mfr.#: 1132-6025

OMO.#: OMO-1132-6025-AMPHENOL-SV-MICROWAVE

RF Adapters - Between Series SMPM F to SMA F Thread-In Adapte
ASDMB-48.000MHZ-XY-T

Mfr.#: ASDMB-48.000MHZ-XY-T

OMO.#: OMO-ASDMB-48-000MHZ-XY-T-ABRACON

Standard Clock Oscillators 48MHz 10ppm -40C +105C
9C-27.000MEEJ-T

Mfr.#: 9C-27.000MEEJ-T

OMO.#: OMO-9C-27-000MEEJ-T-TXC

Crystals 27.000MHz 10ppm -20 +70C 18pF
C005YK1R0PBSTR

Mfr.#: C005YK1R0PBSTR

OMO.#: OMO-C005YK1R0PBSTR-AVX

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16volts 1.0pF
Disponibilidad
Valores:
50
En orden:
2033
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
43,90 US$
2 195,00 US$
100
37,97 US$
3 797,00 US$
250
35,69 US$
8 922,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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