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NTD4858NAT4G

NTD4858NAT4G
Mfr. #:
NTD4858NAT4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NTD4858NAT4G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NTD4858NAT4G DatasheetNTD4858NAT4G Datasheet (P4-P6)NTD4858NAT4G Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
ON
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Unidad de peso
0.139332 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-252-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
73 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
5.2 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
NTD4858NA, NTD4858, NTD485, NTD48, NTD4, NTD
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
POWER MOSFET 25V 70A SINGLE N-CHANNEL
***i-Key Marketplace
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:13.6A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):6.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NTD4858NAT4G
DISTI # NTD4858NAT4G-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    NTD4858NAT4GON Semiconductor 
    RoHS: Not Compliant    		56969
    • 1000:$0.2200
    • 500:$0.2300
    • 100:$0.2400
    • 25:$0.2500
    • 1:$0.2700
    NTD4858NAT4G
    DISTI # 863-NTD4858NAT4G    		ON SemiconductorMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      NTD4858NT4G

      Mfr.#: NTD4858NT4G

      OMO.#: OMO-NTD4858NT4G

      		 MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
      NTD4854N-1G

      Mfr.#: NTD4854N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4854N-1G

      		 MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL
      NTD4854N-35G

      Mfr.#: NTD4854N-35G

      OMO.#: OMO-NTD4854N-35G

      		 MOSFET PWR MSFT 25V 124A SINGLE N-CHNL
      NTD4856N-1G

      Mfr.#: NTD4856N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4856N-1G

      		 MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK
      NTD4855N-35G

      Mfr.#: NTD4855N-35G

      OMO.#: OMO-NTD4855N-35G

      		 MOSFET NFET 25V 98A 0.0033R DPAK
      NTD4855NT4G , FJ1117T33L

      Mfr.#: NTD4855NT4G , FJ1117T33L

      OMO.#: OMO-NTD4855NT4G-FJ1117T33L-1190

      		 Nuevo y original
      NTD4855NTAG

      Mfr.#: NTD4855NTAG

      OMO.#: OMO-NTD4855NTAG-1190

      		 Nuevo y original
      NTD4858N-1G

      Mfr.#: NTD4858N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4858N-1G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
      NTD4858N-35G

      Mfr.#: NTD4858N-35G

      OMO.#: OMO-NTD4858N-35G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
      NTD4858NA-35G

      Mfr.#: NTD4858NA-35G

      OMO.#: OMO-NTD4858NA-35G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de NTD4858NAT4G es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,30 US$
      0,30 US$
      10
      0,28 US$
      2,85 US$
      100
      0,27 US$
      27,00 US$
      500
      0,26 US$
      127,50 US$
      1000
      0,24 US$
      240,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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