MJD32C-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

3 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MJD32C

Altura:

2.4 mm

Longitud:

6.8 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.2 mm

Marca:

Diodos incorporados

Pd - Disipación de energía:

1560 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

MJD32C-1, MJD32C, MJD32, MJD3, MJD