IPP90R1K2C3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

830 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

400 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

70 ns

Parte # Alias:

IPP90R1K2C3XKSA1 IPP9R1K2C3XK SP000683096

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP90R1K2C3, IPP90R1K2, IPP90R1, IPP90R, IPP9, IPP