2N4449/TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-46-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

6 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.45 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 1 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

Microchip / Microsemi

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20 at 100 mA, 1 V

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Tags

2N4449, 2N444, 2N44, 2N4