NVMFD5C680NLWFT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

26 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

23 mOhms, 23 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5 nC, 5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

19 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

NVMFD5C680NL

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

50 S, 50 S

Otoño:

23 ns, 23 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns, 25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.4 ns, 6.4 ns

Tags

NVMFD5C6, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM