RQ3E100BNTB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSMT-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

15 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

44 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

RQ3E100BN

Unidad de peso:

0.196723 oz

Tags

RQ3E100BN, RQ3E100B, RQ3E10, RQ3E1, RQ3E, RQ3