TK040N65Z,S1F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

57 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

105 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

TK040N65Z

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

65 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

170 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

120 ns

Tags

TK040, TK04, TK0