ALD110900APAL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

240 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

37 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

128 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

SPP15P10

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

9.3 S

Otoño:

16 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

23 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.5 ns

Parte # Alias:

SP000683160 SPP15P10PHXKSA1 SPP15P1PHXK

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

ALD110900, ALD11090, ALD1109, ALD110, ALD11, ALD1, ALD