SI3585CDV-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.1 A, 3.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

58 mOhms, 195 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

3.2 nC, 6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W, 1.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.05 mm

Serie:

SI3

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

1 S, 12 S

Otoño:

9 ns, 28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns, 37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 16 ns

Parte # Alias:

SI3585CDV-GE3

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

SI3585CDV-T, SI3585C, SI3585, SI358, SI35, SI3