2N5629

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

T

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3-2

Polaridad del transistor:

NPN

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Corriente máxima del colector de CC:

16 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

1 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 60 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N5629

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

0.45 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

4 at 16 A, 2 V

Pd - Disipación de energía:

200 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N5629 TIN/LEAD

Unidad de peso:

0.225789 oz

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5