BUR51

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

200 V

Colector- Voltaje base VCBO:

300 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

10 V

Corriente máxima del colector de CC:

60 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

16 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BUR51

Ganancia de corriente CC hFE Max:

100

Altura:

8.7 mm (Max)

Longitud:

39.5 mm (Max)

Embalaje:

Tubo

Ancho:

26.2 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Corriente continua del colector:

60 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20

Pd - Disipación de energía:

350 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.225789 oz

Tags

BUR5, BUR