ZXMN10A07ZTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

900 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

2.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

4.6 mm

Serie:

ZXMN10A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2.6 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

1.6 S

Otoño:

2.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.8 ns

Unidad de peso:

0.004603 oz

Tags

ZXMN10A07Z, ZXMN10A07, ZXMN10A0, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM