NTK3139PT5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-723-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

780 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

380 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

310 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTK3139P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

1.2 S

Otoño:

5.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.000045 oz

Tags

NTK3139PT, NTK3139, NTK313, NTK31, NTK3, NTK