APT66M60B2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

T-MAX-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

70 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

75 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

330 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.135 kW

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

POWER MOS 8

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.31 mm

Longitud:

21.46 mm

Ancho:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

65 S

Otoño:

70 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

85 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

225 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

75 ns

Tags

APT66M, APT66, APT6, APT