BFU530WX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Banda ancha bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

60

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

16 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

2 V

Corriente continua del colector:

10 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

24 V

Ganancia de corriente CC hFE Max:

200

Frecuencia de operación:

2 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 150 C

Potencia de salida:

10 dBm

Escribe:

Transistor RF de banda ancha

Marca:

Semiconductores NXP

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

11 GHz

Corriente máxima del colector de CC:

65 mA

Pd - Disipación de energía:

450 mW

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

934067694115

Unidad de peso:

0.000196 oz

Tags

BFU530W, BFU53, BFU5, BFU