TP65H035WSQA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Transphorm

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

GaN Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

47.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

41 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

187 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Transphorm

Otoño:

12 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

98 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

69 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6