FDFME3N311ZT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFET-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

299 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDFME3N311ZT

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Power Trench MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S

Otoño:

2.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.000889 oz

Tags

FDFME, FDFM, FDF