IRF6718L2TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-L6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

270 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

64 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

4.3 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

DirectFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.74 mm

Longitud:

9.15 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

7.1 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

820 S

Otoño:

53 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

140 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

47 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

67 ns

Parte # Alias:

SP001523928

Tags

IRF6718, IRF671, IRF67, IRF6, IRF