BSL215C H6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

108 mOhms, 102 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV, 1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

730 pC, - 3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Serie:

BSL215

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

4 S, 4.5 S

Otoño:

1.4 ns, 14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.6 ns, 9.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.8 ns, 14.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.1 ns, 6.7 ns

Parte # Alias:

BSL215CH6327XTSA1 SP001101000

Unidad de peso:

0.000529 oz

Tags

BSL215CH, BSL215C, BSL215, BSL21, BSL2, BSL