FDN352AP

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.12 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDN352AP

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

2 S

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns

Parte # Alias:

FDN352AP_NL

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDN352AP, FDN352A, FDN352, FDN35, FDN3, FDN