AFV141KHR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 105 V

Ganar:

17.7 dB

Potencia de salida:

1 kW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-1230H-4S-4

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Número de canales:

2 Channel

Pd - Disipación de energía:

910 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Parte # Alias:

935320646178

Unidad de peso:

0.465355 oz

Tags

AFV141KH, AFV14, AFV1, AFV