SSR1N60BTM_WS

SSR1N60BTM_WS
Mfr. #:
SSR1N60BTM_WS
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SSR1N60BTM_WS Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Fairchild Semiconductor
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Unidad de peso
0.000557 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-252-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
2.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
27 ns
Hora de levantarse
21 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
30 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
900 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2 V to 4 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
11.5 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
13 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
7 ns
Qg-Gate-Charge
4.8 nC
Modo de canal
Mejora
Tags
SSR1N60BTM_W, SSR1N60BTM, SSR1N60BT, SSR1N60B, SSR1N6, SSR1N, SSR1, SSR
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SSR1N60BTM-WS
DISTI # SSR1N60BTM-WS-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 2500:$0.2546
SSR1N60BTM-WS
DISTI # 512-SSR1N60BTM_WS
ON SemiconductorMOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel
RoHS: Compliant
2134
  • 1:$0.6500
  • 10:$0.5390
  • 100:$0.3290
  • 1000:$0.2540
  • 2500:$0.2170
  • 10000:$0.2020
  • 25000:$0.1920
SSR1N60BTM-WSFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant
2350
  • 1000:$0.1900
  • 500:$0.2000
  • 100:$0.2100
  • 25:$0.2200
  • 1:$0.2400
Imagen Parte # Descripción
SSR1N60BTM_WS

Mfr.#: SSR1N60BTM_WS

OMO.#: OMO-SSR1N60BTM-WS-126

IGBT Transistors MOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel
SSR1N600BS

Mfr.#: SSR1N600BS

OMO.#: OMO-SSR1N600BS-1190

Nuevo y original
SSR1N60A

Mfr.#: SSR1N60A

OMO.#: OMO-SSR1N60A-1190

Nuevo y original
SSR1N60ATFFSC

Mfr.#: SSR1N60ATFFSC

OMO.#: OMO-SSR1N60ATFFSC-1190

Nuevo y original
SSR1N60B

Mfr.#: SSR1N60B

OMO.#: OMO-SSR1N60B-1190

Nuevo y original
SSR1N60BS

Mfr.#: SSR1N60BS

OMO.#: OMO-SSR1N60BS-1190

Nuevo y original
SSR1N60BTM

Mfr.#: SSR1N60BTM

OMO.#: OMO-SSR1N60BTM-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
SSR1N60BTM-WS

Mfr.#: SSR1N60BTM-WS

OMO.#: OMO-SSR1N60BTM-WS-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
SSR1N60BTMWS

Mfr.#: SSR1N60BTMWS

OMO.#: OMO-SSR1N60BTMWS-1190

Nuevo y original
SSR1N60TF

Mfr.#: SSR1N60TF

OMO.#: OMO-SSR1N60TF-1190

Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SSR1N60BTM_WS es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,24 US$
0,24 US$
10
0,23 US$
2,28 US$
100
0,22 US$
21,59 US$
500
0,20 US$
101,95 US$
1000
0,19 US$
191,90 US$
Empezar con
Top