SCT10N120H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

HiP247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

690 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 10 V to 25 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

SCT10N120H

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Tags

SCT10, SCT1, SCT