EMT1DXV6T5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

140 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

EMT SERIES

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.2 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

- 0.1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

357 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

EMT1D, EMT1, EMT