CSD25404Q3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-Clip-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

104 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

650 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

10.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

96 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

CSD25404Q3

Tipo de transistor:

1 P-Channel Power MOSFET

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.001549 oz

Tags

CSD2540, CSD254, CSD25, CSD2, CSD