CXDM1002N TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

140 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.7 mm

Longitud:

4.7 mm

Serie:

CWDM

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.7 mm

Marca:

Semiconductor central

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

32 ns

Parte # Alias:

CXDM1002N PBFREE TR

Unidad de peso:

0.004603 oz

Tags

CXDM, CXD