SQ3585EV-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.57 A, 2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

49 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV, 1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

2.5 nC, 3.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.67 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

10 S, 3 S

Otoño:

8 ns, 14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns, 29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 7 ns

Tags

SQ35, SQ3