IRFS7530-7PPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-7

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

338 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.15 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

354 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Fuerte IRFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

249 S

Otoño:

79 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

102 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

168 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Parte # Alias:

SP001565236

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IRFS7530, IRFS753, IRFS75, IRFS7, IRFS, IRF