FDW258P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

4.4 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

50 S

Otoño:

23 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

23 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

201 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.005573 oz

Tags

FDW258, FDW25, FDW2, FDW