SH8M13GZETB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A, 7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms, 21.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5 nC, 18 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

2.5 S, 6 S

Otoño:

7 ns, 65 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns, 40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns, 80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 12 ns

Parte # Alias:

SH8M13

Tags

SH8M13, SH8M1, SH8M, SH8