IXFN180N25T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

168 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

364 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

12.22 mm

Longitud:

38.23 mm

Serie:

IXFN180N25

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET GigaMOS Power

Ancho:

25.42 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

90 S

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

52 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

88 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXFN18, IXFN1, IXFN, IXF