C2M1000170D

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.7 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

4.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V, - 10 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

0.9 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

46 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

C2M1000, C2M1, C2M