CTLDM7120-M832DS BK

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TLM832DS-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

75 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

2.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.65 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Serie:

CTLDM7120-M832DS

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor central

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

140 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Tags

CTLDM71, CTLDM7, CTLDM, CTLD, CTL