IRF6646TR1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-MN

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

89 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

6.35 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Otoño:

12 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001563466

Unidad de peso:

0.017637 oz

Tags

IRF6646T, IRF6646, IRF664, IRF66, IRF6, IRF