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R6009JNJGTL

R6009JNJGTL
Mfr. #:
R6009JNJGTL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descripción:
MOSFET NCH 600V 9A POWER
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
R6009JNJGTL Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
R6009JNJGTL más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Semiconductor ROHM
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-263-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
9 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
585 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
5 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
22 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
125 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
PrestoMOS
Embalaje:
Carrete
Serie:
BM14270MUV-LB
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Semiconductor ROHM
Otoño:
20 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
16 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
1000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
38 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
20 ns
Tags
R6009J, R6009, R600, R60
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs
ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. The devices' high-speed switching combined with an internal diode with high Reverse Recovery Time (trr) characteristics optimize efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
R6009JNJGTL
DISTI # 32373960		ROHM SemiconductorR6009JNJGTL100
  • 100:$1.8233
  • 50:$1.9635
  • 10:$2.3843
  • 8:$3.5318
R6009JNJGTL
DISTI # R6009JNJGTLCT-ND		ROHM SemiconductorR6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		100In Stock
  • 500:$1.6403
  • 100:$1.9964
  • 10:$2.4840
  • 1:$2.7700
R6009JNJGTL
DISTI # R6009JNJGTLDKR-ND		ROHM SemiconductorR6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		100In Stock
  • 500:$1.6403
  • 100:$1.9964
  • 10:$2.4840
  • 1:$2.7700
R6009JNJGTL
DISTI # R6009JNJGTLTR-ND		ROHM SemiconductorR6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 2000:$1.2740
  • 1000:$1.3195
R6009JNJGTL
DISTI # C1S625901816422		ROHM SemiconductorMOSFETs
RoHS: Compliant		100
  • 100:$1.4300
  • 50:$1.5400
  • 10:$1.8700
  • 1:$2.7700
R6009JNJGTL
DISTI # 01AH7809		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 9A, 600V, TO-263S,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:9A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.45ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:15V,Threshold Voltage Vgs:6V,Power Dissipation RoHS Compliant: Yes90
  • 500:$1.6100
  • 250:$1.7200
  • 100:$1.8400
  • 50:$1.9900
  • 25:$2.1400
  • 10:$2.2900
  • 1:$2.7000
R6009JNJGTL
DISTI # 755-R6009JNJGTL		ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 9A POWER
RoHS: Compliant		100
  • 1:$2.6700
  • 10:$2.2700
  • 100:$1.8200
  • 500:$1.5900
  • 1000:$1.3100
R6009JNJGTLROHM Semiconductor*** FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 ***80
  • 28:$2.5600
  • 9:$2.8160
  • 1:$3.8400
R6009JNJGTL
DISTI # 3018861		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 9A, 600V, TO-263S90
  • 500:£1.3200
  • 250:£1.4400
  • 100:£1.5200
  • 10:£1.8200
  • 1:£2.1700
R6009JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 9A POWER
RoHS: Compliant		Americas -
    R6009JNJGTLROHM SemiconductorRoHS(ship within 1day)100
    • 1:$2.5200
    • 10:$1.8900
    • 50:$1.6700
    • 100:$1.4200
    • 500:$1.3200
    • 1000:$1.2800
    R6009JNJGTL
    DISTI # 3018861    		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 9A, 600V, TO-263S
    RoHS: Compliant    		90
    • 500:$1.9600
    • 250:$2.0400
    • 100:$2.1800
    • 10:$2.5700
    • 1:$3.3100
    Imagen Parte # Descripción
    R6009KNX

    Mfr.#: R6009KNX

    OMO.#: OMO-R6009KNX

    		 MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
    R6009ENJTL

    Mfr.#: R6009ENJTL

    OMO.#: OMO-R6009ENJTL

    		 MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
    R6009ENX

    Mfr.#: R6009ENX

    OMO.#: OMO-R6009ENX

    		 MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
    R6009JND3TL1

    Mfr.#: R6009JND3TL1

    OMO.#: OMO-R6009JND3TL1

    		 MOSFET NCH 600V 9A POWER
    R6009JND3TL1

    Mfr.#: R6009JND3TL1

    OMO.#: OMO-R6009JND3TL1-1190

    		 R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH
    R6009JNJGTL

    Mfr.#: R6009JNJGTL

    OMO.#: OMO-R6009JNJGTL-1190

    		 R6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH
    R6009ENJTL

    Mfr.#: R6009ENJTL

    OMO.#: OMO-R6009ENJTL-ROHM-SEMI

    		 MOSFET N-CH 600V 9A LPT
    R6009ENX

    Mfr.#: R6009ENX

    OMO.#: OMO-R6009ENX-ROHM-SEMI

    		 MOSFET N-CH 600V 9A TO220
    R6009ENX C7

    Mfr.#: R6009ENX C7

    OMO.#: OMO-R6009ENX-C7-1190

    		 Nuevo y original
    R6009KNX

    Mfr.#: R6009KNX

    OMO.#: OMO-R6009KNX-ROHM-SEMI

    		 MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
    Disponibilidad
    Valores:
    100
    En orden:
    2083
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de R6009JNJGTL es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    2,67 US$
    2,67 US$
    10
    2,27 US$
    22,70 US$
    100
    1,82 US$
    182,00 US$
    500
    1,59 US$
    795,00 US$
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