CSD87588N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PTAB-5

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10.4 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

2.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.48 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

CSD87588N

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

93 S

Otoño:

6.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.1 ns

Tags

CSD8758, CSD875, CSD87, CSD8, CSD