IPS65R1K0CEAKMA2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PG-TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

15.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

68 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

13.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.6 ns

Parte # Alias:

IPS65R1K0CE SP001724356

Tags

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