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PTAB182002FC-V1-R250

PTAB182002FC-V1-R250
Mfr. #:
PTAB182002FC-V1-R250
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
PTAB182002FC-V1-R250 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
Transistores RF MOSFET
RoHS:
Y
Polaridad del transistor:
Canal N dual
Tecnología:
Si
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
65 V
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
150 mOhms
Ganar:
15.5 dB
Potencia de salida:
190 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 200 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
H-37248-4
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
1805 MHz to 1880 MHz
Escribe:
RF Power MOSFET
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Número de canales:
2 Channel
Tipo de producto:
Transistores RF MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
250
Subcategoría:
MOSFET
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
10 V
Tags
PTAB182002F, PTAB182, PTAB, PTA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
PTAB182002FC-V1-R250
DISTI # PTAB182002FC-V1-R250-ND		WolfspeedIC AMP RF LDMOS
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 250:$88.5500
PTAB182002FC-V1-R250
DISTI # 941-PTAB182002FC1R2		Cree, Inc.RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
RoHS: Compliant		0
  • 250:$92.9300
PTAB182002FCV1R250XTMA1
DISTI # 726-PTAB182002FCV1R2		Infineon Technologies AGRF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 90
    Imagen Parte # Descripción
    PTAB182002FC-V1-R0

    Mfr.#: PTAB182002FC-V1-R0

    OMO.#: OMO-PTAB182002FC-V1-R0

    		 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
    PTAB182002TCV2R250XUMA1

    Mfr.#: PTAB182002TCV2R250XUMA1

    OMO.#: OMO-PTAB182002TCV2R250XUMA1

    		 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
    PTAB182002TCV2XWSA1

    Mfr.#: PTAB182002TCV2XWSA1

    OMO.#: OMO-PTAB182002TCV2XWSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
    PTAB182002FCV1R250XTMA1

    Mfr.#: PTAB182002FCV1R250XTMA1

    OMO.#: OMO-PTAB182002FCV1R250XTMA1-319

    		 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
    PTAB182002TCV1R250XTMA1

    Mfr.#: PTAB182002TCV1R250XTMA1

    OMO.#: OMO-PTAB182002TCV1R250XTMA1-319

    		 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
    PTAB182002TCV2R250XUMA1

    Mfr.#: PTAB182002TCV2R250XUMA1

    OMO.#: OMO-PTAB182002TCV2R250XUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
    PTAB182002FC

    Mfr.#: PTAB182002FC

    OMO.#: OMO-PTAB182002FC-1190

    		 Nuevo y original
    PTAB182002FC V1

    Mfr.#: PTAB182002FC V1

    OMO.#: OMO-PTAB182002FC-V1-1190

    		 Nuevo y original
    PTAB182002TC P1

    Mfr.#: PTAB182002TC P1

    OMO.#: OMO-PTAB182002TC-P1-1190

    		 Nuevo y original
    PTAB182002TCV2R250XTMA1

    Mfr.#: PTAB182002TCV2R250XTMA1

    OMO.#: OMO-PTAB182002TCV2R250XTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1000
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