BSS123T-HF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Tecnología Comchip

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

190 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

100 V

Qg - Carga de puerta:

2.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Estilo de terminación:

SMD / SMT

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Tecnología Comchip

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.2 ns

Tags

BSS123T, BSS123, BSS12, BSS1, BSS